Bộ nhớ dễ bay hơi vs Bộ nhớ không bay hơi
Dễ bay hơi và không bay hơi là cách phân loại trong bộ nhớ máy tính. Bộ nhớ linh hoạt là một loại bộ nhớ máy tính yêu cầu nguồn điện để giữ lại thông tin được lưu trữ trong khi bộ nhớ không linh hoạt không yêu cầu làm mới để giữ lại các giá trị bộ nhớ.
Bộ nhớ dễ bay hơi là gì?
Bộ nhớ dễ bay hơi là loại bộ nhớ trong máy tính yêu cầu năng lượng để lưu giữ thông tin được lưu trữ. Nội dung của thiết bị nhớ phải được làm mới thường xuyên để tránh mất dữ liệu. Các mô-đun RAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên) trong máy tính và bộ nhớ Cache trong bộ xử lý là ví dụ cho các thành phần bộ nhớ dễ bay hơi.(Đọc Sự khác biệt giữa RAM và Bộ nhớ Cache)
Các thiết bịRAM được chế tạo bằng cách sử dụng một cụm tụ điện lớn được sử dụng để lưu trữ tải tạm thời. Mỗi tụ điện đại diện cho một bit nhớ. Khi tụ điện được sạc, trạng thái logic là 1 (Cao) và khi phóng điện, trạng thái logic là 0 (Thấp). Và mỗi tụ điện cần được sạc lại theo chu kỳ đều đặn để giữ lại dữ liệu liên tục, việc sạc lại nhiều lần này được gọi là chu kỳ làm mới.
Có ba loại RAM chính, đó là RAM tĩnh (SRAM), RAM động (DRAM) và RAM thay đổi theo pha (PRAM). Trong SRAM, dữ liệu được lưu trữ bằng cách sử dụng trạng thái của một flip-flop duy nhất cho mỗi bit và trong DRAM, một tụ điện duy nhất được sử dụng cho mỗi bit. (Đọc thêm về Sự khác biệt giữa SRAM và DRAM)
Bộ nhớ không bay hơi là gì?
Bộ nhớ không bay hơi là loại bộ nhớ máy tính không yêu cầu làm mới để giữ lại các giá trị bộ nhớ. Tất cả các loại ROM, bộ nhớ flash, thiết bị lưu trữ quang học và từ tính đều là thiết bị nhớ không biến đổi.
Thiết bị ROM sớm nhất (Bộ nhớ chỉ đọc) chỉ có khả năng đọc chứ không thể ghi hoặc chỉnh sửa nội dung. Trong một số trường hợp, dữ liệu có thể được sửa đổi, nhưng gặp khó khăn. Trạng thái rắn loại lâu đời nhất của ROM là ROM Mask, nơi nội dung của bộ nhớ được nhà sản xuất tự lập trình và không thể sửa đổi.
PROM hay ROM có thể lập trình được phát triển trên cơ sở Mask ROM, nơi người dùng có thể lập trình bộ nhớ nhưng chỉ một lần. EPROM (Erasable Programmable ROM) là một thiết bị nhớ có thể xóa được, có thể xóa bằng cách tiếp xúc với ánh sáng UV và được lập trình thông qua điện áp cao hơn. Việc tiếp xúc nhiều lần với tia UV cuối cùng sẽ làm giảm khả năng lưu trữ của vi mạch.
EEPROM hay ROM có thể xóa được bằng điện tử là một phần mở rộng từ EPROM nơi người dùng có thể lập trình bộ nhớ nhiều lần. Nội dung của thành phần bộ nhớ có thể được đọc, ghi và sửa đổi bằng cách sử dụng một giao diện được thiết kế đặc biệt. Các đơn vị vi điều khiển là ví dụ của các thiết bị EEPROM. Bộ nhớ flash được phát triển dựa trên kiến trúc EEPROM.
Ổ đĩa cứng (HDD) cũng là một thiết bị lưu trữ dữ liệu thứ cấp không bay hơi được sử dụng để lưu trữ và truy xuất thông tin số trong máy tính. Các ổ cứng nổi bật nhờ dung lượng và hiệu suất của chúng. Dung lượng của ổ cứng HDD khác nhau giữa các ổ, nhưng đã liên tục tăng theo thời gian.
Thiết bị lưu trữ quang học như CD’s DVD và BluRay Discs cũng là những thiết bị nhớ không linh hoạt. Thẻ đục lỗ và băng từ được sử dụng trong các máy tính đời đầu cũng có thể được đưa vào danh mục này.
Sự khác biệt giữa Bộ nhớ dễ bay hơi và Bộ nhớ không bay hơi là gì?
• Bộ nhớ linh hoạt yêu cầu làm mới để giữ lại nội dung được lưu trữ, trong khi bộ nhớ linh hoạt thì không.
• Bộ nhớ đa năng yêu cầu nguồn điện để duy trì bộ nhớ trong khi bộ nhớ không linh hoạt không cần nguồn điện. Nếu mất nguồn cho bộ nhớ dễ bay hơi, thì nội dung sẽ tự động bị xóa.
• RAM là loại bộ nhớ dễ bay hơi chính và được sử dụng làm nơi lưu trữ thông tin tạm thời trước và sau khi xử lý. Thiết bị ROM được sử dụng để lưu trữ dữ liệu hoặc thông tin trong một thời gian dài hơn. (Đọc thêm về Sự khác biệt giữa ROM và RAM)
• Thiết bị lưu trữ thứ cấp được sử dụng trong máy tính là thiết bị nhớ không linh hoạt.
• Thiết bị nhớ dễ bay hơi chủ yếu là thiết bị trạng thái rắn và bộ nhớ không bay hơi có thể ở trạng thái rắn, từ tính hoặc quang học.
